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1 月 19 日消息，韩媒 ETNews 本月 14 日报道称，SK 海力士已完成对中国江苏无锡 DRAM 内存晶圆厂的制程转换工作，主要工艺已从 1z nm（注：第三代 10 纳米级）升级至 1a nm（第四代 10 纳米级）。

无锡晶圆厂为 SK 海力士贡献了约 1/3 的 DRAM 产能，报道指在该厂当下每月 18~19 万片 12 英寸晶圆的投片量中已有大致九成为 1a nm。由于 1a nm 需要 EUV 光刻但相关设备存在进口限制，因此无锡所产 1a nm 产品需要在韩国完成部分步骤。

SK 海力士官方对 ETNews 的报道不予置评。（溯波）

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