中商情报网讯：新型功率半导体器件IGBT是电力电子行业的“CPU”，IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

市场规模

近年来，全球IGBT市场规模一直变成增长趋势，2020年市场规模约为66.5亿美元，中国市场约占全球市场的 40%。预计2022年将进一步增长至80.8亿美元。

数据来源：中商产业研究院整理

竞争格局

目前IGBT行业国产率较低，行业整体集中度较高，2020年前三企业占整体市场达51%。其中英飞凌占比最多，达27%。三菱排名第二，占比14%。安森美占比10%，位居第三。

数据来源：中商产业研究院整理

更多资料请参考中商产业研究院发布的《中国半导体行业市场前景及投资机会研究报告》，同时中商产业研究院还提供产业大数据、产业情报、产业研究报告、产业规划、园区规划、十四五规划、产业招商引资等服务。

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