美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术,达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后,自己独立研发的第二代3D NAND闪存。

美光、Intel合作时,走的是浮动栅极闪存单元架构,独立后转向电荷捕获(charge-trap)闪存单元架构,第一代为128层堆叠,但更多的是过渡性质,用来发现、解决新架构设计的各种问题。

正因如此,美光全新176层堆叠闪存所取代的,其实是96层堆叠。

据了解,美光176层闪存其实是基于两个88层叠加而成,第一批为TLC颗粒,单个Die的容量为512Gb(64GB),当然后期很可能会加入QLC。

得益于新的闪存架构和堆叠技术,美光将176层的厚度压缩在了45微米,基本和早期的64层浮动栅极3D NAND差不多。

这样,即使在一颗芯片内封装16个Die,做到1TB的单颗容量,厚度也不会超过1.5毫米,可以轻松放入智能手机、存储卡。

传输速率提高至1600MT/s,而此前96/128层的都是1200MT/s,读写延迟相比96层改进35%,相比128层改进25%,混合负载性能相比96层改进15%。

美光表示,176层闪存已经量产出货,并用于一些Crucial英睿达品牌的消费级SSD,明年还会发布更多新产品,但没有确认具体产品型号。