据外媒 HPCwire 消息,三星电子 3 月 24 日宣布成功开发了单条容量512GB的 DDR5 模组,使用了 High-K Metal Gate (HKMG) 工艺,可以提供超过 DDR4 内存一倍的能表现,达到 7200Mb/s。三星表示,新款内存可以用于超级计算机、人工智能运算、数据分析等领域,保证能释放。

IT之家了解到,HKMG 技术目前仅应用于 GDDR6 显存芯片,能够使用新的金属材料作为芯片中的绝缘层,减少漏电流,使得能耗降低 13%。三星这项技术在 DDR5 内存颗粒的应用,进一步确立了该品牌的领先地位。

除此之外,三星还利用了TSV硅通孔技术,堆叠8 层 16Gb DRAM 芯片,因此可以实现 DDR5 内存 512GB 的最大容量。

三星电子内存部门副总裁 Young-Soo Sohn 表示,“三星是目前全球唯一一家能够使用 HKMG 技术制造内存芯片的半导体厂商。这种工艺引入 DRAM 制造,三星可以为客户提供高能、高能效的内存解决方案,助力医学研究、金融、自动驾驶、智慧城市等应用。”

英特尔还表示,随着目前世界上数据量的持续增长,DDR5 内存正处于云计算中心、网络中心、边缘计算的关键节点。英特尔的工程师团队与三星等企业密切合作,致力于制造高速、节能的 DDR5 内存。英特尔即将发布的代号为 “Sapphire Rapids”的 Xeon 至强处理器也将兼容 DDR5 内存。

IT之家获悉,三星正在对其 DDR5 内存产品原型的不同变种进行实验,并发送样品给客户进行检验。