目前半导体工艺已经发展到了5nm,明年三星台积电都在抢3nm工艺首发,之后还会有2nm工艺,再之后的1nm节点又是个分水岭了,需要全新的半导体技术。

IBM、三星等公司上半年公布了全球首个2nm工艺芯片,现在双方又在IEDM 2021会议上宣布了最新的合作成果,推出了VTFET(垂直传输场效应晶体管)技术,它与传统晶体管的电流水方向传输不同,是垂直方向传输的,有望进军1nm及以下工艺。

根据IBM及三星的说法,VTFET技术有2个优点,一个是可以绕过现在技术的诸多能限制,进一步扩展摩尔定律,另一个就是能大幅提升,采用VTFET技术的芯片速度可提升两倍,或者降低85%的功耗。

这个技术要是量产了,那么芯片的能效比是大幅提升的,智能手机充电一次可使用两周,不过三星及IBM依然没有公布VTFET工艺的量产时间,所以还是要等——反正革命的电池及革命的芯片技术实现一个就能让手机续航质变。

关键词: IBM三星 VTFET 芯片技术 提升两倍